为什么 NOR flash 的最小读取单位是字节， NAND flash 是页呢？

[allmightbe]

上图从网上找的，应该是大概说明了两种 flash 的区别。 有一个点是：NOR 最小读取单位是字节，NAND 最小读取单位是页。我结合上图的 NOR 部分来理解“NOR 最小读取单位是字节”，是不是应该这么解释：

• 当我选中了 word line ，就确定了一个字节的数据
• 当我再选中了 bit line ，就确定了一个 bit 的数据。
• 另外，当我两个线都确定了的话，是不是可以说 最小读取单位是 bit 了？

另外，NOR 可以执行代码，是不是因为代码执行通常有函数跳转的过程，所以就必须就需要随机存取的能力；而 NAND 只能在一个页 顺序读取，而代码执行不可能全是顺利执行的过程，所以 NAND 不可以执行代码。

• 或者反过来说，假设代码真是顺序执行的，是不是 NAND 的也可以。

另外，这些概念 好像有点混淆了：block 块，page 页，sector 。它们之间的大小顺序是这样从大到小吗？分别作用的作用场景是啥啊？是不是这里理解：

• 两种 flash 都可以按照 block 或 sector 来擦除
• 只有 NAND 有 page 的概念，NAND 通过页的最小单元来读取

nor 的地址线数据线不是复用的，NAND 的地址线数据线是复用的。一定是这样的吗？

nand flash 可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。这一点的原因是啥啊？

乱七八糟问题有点多，求各位大佬讲解一下，感谢！

[kokutou]

就当作 nor 是土豪版本的 nand

nand 为了节省电路 按页读取
nand 比较容易有坏块，一般代码里都会配备有坏块管理

[smdbh]

串行总线和并行总线，导致了以上所有的问题。