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EliteOtaku
V2EX  ›  硬件

想小升级一下硬件,有请大大推荐下

  •  
  •   EliteOtaku · 2022-10-19 13:15:24 +08:00 · 1439 次点击
    这是一个创建于 526 天前的主题,其中的信息可能已经有所发展或是发生改变。
    大概就是 2080ti+i9-9900ks+Z390 ,内存是 ddr4 (这一点我有点迷糊,频率显示是 2137 ,但我记得型号应该是海盗船的 4266 啊)
    https://static01.imgkr.com/temp/ed4fabca11b94d069b2ed0c19b2ceb20.png

    目前打算先升级下内存,换 ddr4 16Gx4 的,想问下有哪些品牌可以推荐?如果能附上京东链接,不胜感激。

    顺便问下我这 CPU 能带的动 4090 嘛?


    HWiNFO64 Version 7.26-4800

    ROG -----------------------------------------------------------------------

    [当前计算机]
    电脑品牌名称: ASUS
    [操作系统]

    中央处理器 ----------------------------------------------------------------

    [CPU 单元数量]
    处理器封装数量 (物理): 1
    处理器核心数量: 8
    逻辑处理器数量: 16

    Intel Core i9-9900KS ------------------------------------------------------

    [常规信息]
    处理器名称: Intel Core i9-9900KS
    原始处理器频率: 4000.0 MHz
    Original Processor Frequency [MHz]: 4000
    CPU ID: 000906ED
    CPU 品牌名称: Intel(R) Core(TM) i9-9900KS CPU @ 4.00GHz
    CPU 供应商: GenuineIntel
    CPU 步进: R0
    CPU 代号: Coffee Lake-S
    CPU 技术: 14 nm
    CPU S-Spec: SRG1Q


    主板 ----------------------------------------------------------------------

    [计算机]
    电脑品牌名称: ASUS
    [Motherboard]
    主板型号: ASUS ROG MAXIMUS XI EXTREME
    主板芯片组: Intel Z390 (Cannon Lake-H)
    主板插槽: 2xPCI Express x1, 1xPCI Express x2, 2xPCI Express x4, 1xPCI Express x8, 1xPCI Express x16
    支持的 PCI Express 版本: v3.0
    支持的 USB 版本: v3.1
    [BIOS]
    BIOS 制造商: American Megatrends Inc.
    BIOS 日期: 12/01/2020
    BIOS 版本: 1802
    UEFI BIOS: 有能力


    Row: 0 [BANK 0/ChannelA-DIMM1] - 8 GB PC4-34100 DDR4 SDRAM G.Skill F4-4266C19-8GTRS

    [通用模块信息]
    模块编号: 0
    模块尺寸: 8 GBytes
    内存类型: DDR4 SDRAM
    模块类型: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    内存速度: 2136.8 MHz (DDR4-4273 / PC4-34100)
    模块制造商: G.Skill
    模块部件号: F4-4266C19-8GTRS
    模块修订版本: 0.0
    模块序列号: N/A
    模块生产日期: 年: 2019, 星期: 43
    模组制造地点: 0
    SDRAM 制造商: Samsung
    DRAM Steppping: 0.0
    错误检查 /纠正: None
    [模块特性]
    行地址位: 16
    列地址位: 10
    模块密度: 8192 Mb
    等级数: 1
    银行集团数量: 4
    设备宽度: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Die Count: 1
    模块标称电压( VDD ): 1.2 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
    最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax): 1.60000 ns
    CAS#支持的延迟: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 13.750 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 13.750 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
    支持的模块时序 1066.7 MHz: 15-15-15-36
    支持的模块时序 933.3 MHz: 13-13-13-31
    支持的模块时序 800.0 MHz: 11-11-11-27
    支持的模块时序 666.7 MHz: 10-10-10-22
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
    Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
    [特点]
    模块温度传感器( TSOD ): 不支持
    模块标称高度: 31 - 32 mm
    模块最大厚度(正面): 1 - 2 mm
    模块最大厚度(背面): 1 - 2 mm
    Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
    [Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
    XMP Revision: 2.0
    [认证配置文件 [已启用]]
    模块 VDD 电压电平: 1.40 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.46800 ns (2133 MHz)
    CAS#支持的延迟: 19
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 8.857 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 8.857 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 8.857 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 18.250 ns
    支持的模块时序 2133.3 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2100.0 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2066.7 MHz: 19-19-19-38
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 27.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 24.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 1.627 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.849 ns

    Row: 1 [BANK 1/ChannelA-DIMM2] - 8 GB PC4-34100 DDR4 SDRAM G.Skill F4-4266C19-8GTRS

    [通用模块信息]
    模块编号: 1
    模块尺寸: 8 GBytes
    内存类型: DDR4 SDRAM
    模块类型: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    内存速度: 2136.8 MHz (DDR4-4273 / PC4-34100)
    模块制造商: G.Skill
    模块部件号: F4-4266C19-8GTRS
    模块修订版本: 0.0
    模块序列号: N/A
    模块生产日期: 年: 2019, 星期: 43
    模组制造地点: 0
    SDRAM 制造商: Samsung
    DRAM Steppping: 0.0
    错误检查 /纠正: None
    [模块特性]
    行地址位: 16
    列地址位: 10
    模块密度: 8192 Mb
    等级数: 1
    银行集团数量: 4
    设备宽度: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Die Count: 1
    模块标称电压( VDD ): 1.2 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
    最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax): 1.60000 ns
    CAS#支持的延迟: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 13.750 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 13.750 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
    支持的模块时序 1066.7 MHz: 15-15-15-36
    支持的模块时序 933.3 MHz: 13-13-13-31
    支持的模块时序 800.0 MHz: 11-11-11-27
    支持的模块时序 666.7 MHz: 10-10-10-22
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
    Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
    [特点]
    模块温度传感器( TSOD ): 不支持
    模块标称高度: 31 - 32 mm
    模块最大厚度(正面): 1 - 2 mm
    模块最大厚度(背面): 1 - 2 mm
    Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
    [Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
    XMP Revision: 2.0
    [认证配置文件 [已启用]]
    模块 VDD 电压电平: 1.40 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.46800 ns (2133 MHz)
    CAS#支持的延迟: 19
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 8.857 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 8.857 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 8.857 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 18.250 ns
    支持的模块时序 2133.3 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2100.0 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2066.7 MHz: 19-19-19-38
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 27.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 24.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 1.627 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.849 ns

    Row: 2 [BANK 2/ChannelB-DIMM1] - 8 GB PC4-34100 DDR4 SDRAM G.Skill F4-4266C19-8GTRS

    [通用模块信息]
    模块编号: 2
    模块尺寸: 8 GBytes
    内存类型: DDR4 SDRAM
    模块类型: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    内存速度: 2136.8 MHz (DDR4-4273 / PC4-34100)
    模块制造商: G.Skill
    模块部件号: F4-4266C19-8GTRS
    模块修订版本: 0.0
    模块序列号: N/A
    模块生产日期: 年: 2019, 星期: 43
    模组制造地点: 0
    SDRAM 制造商: Samsung
    DRAM Steppping: 0.0
    错误检查 /纠正: None
    [模块特性]
    行地址位: 16
    列地址位: 10
    模块密度: 8192 Mb
    等级数: 1
    银行集团数量: 4
    设备宽度: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Die Count: 1
    模块标称电压( VDD ): 1.2 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
    最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax): 1.60000 ns
    CAS#支持的延迟: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 13.750 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 13.750 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
    支持的模块时序 1066.7 MHz: 15-15-15-36
    支持的模块时序 933.3 MHz: 13-13-13-31
    支持的模块时序 800.0 MHz: 11-11-11-27
    支持的模块时序 666.7 MHz: 10-10-10-22
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
    Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
    [特点]
    模块温度传感器( TSOD ): 不支持
    模块标称高度: 31 - 32 mm
    模块最大厚度(正面): 1 - 2 mm
    模块最大厚度(背面): 1 - 2 mm
    Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
    [Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
    XMP Revision: 2.0
    [认证配置文件 [已启用]]
    模块 VDD 电压电平: 1.40 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.46800 ns (2133 MHz)
    CAS#支持的延迟: 19
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 8.857 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 8.857 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 8.857 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 18.250 ns
    支持的模块时序 2133.3 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2100.0 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2066.7 MHz: 19-19-19-38
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 27.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 24.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 1.627 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.849 ns

    Row: 3 [BANK 3/ChannelB-DIMM2] - 8 GB PC4-34100 DDR4 SDRAM G.Skill F4-4266C19-8GTRS

    [通用模块信息]
    模块编号: 3
    模块尺寸: 8 GBytes
    内存类型: DDR4 SDRAM
    模块类型: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    内存速度: 2136.8 MHz (DDR4-4273 / PC4-34100)
    模块制造商: G.Skill
    模块部件号: F4-4266C19-8GTRS
    模块修订版本: 0.0
    模块序列号: N/A
    模块生产日期: 年: 2019, 星期: 43
    模组制造地点: 0
    SDRAM 制造商: Samsung
    DRAM Steppping: 0.0
    错误检查 /纠正: None
    [模块特性]
    行地址位: 16
    列地址位: 10
    模块密度: 8192 Mb
    等级数: 1
    银行集团数量: 4
    设备宽度: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Die Count: 1
    模块标称电压( VDD ): 1.2 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
    最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax): 1.60000 ns
    CAS#支持的延迟: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 13.750 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 13.750 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
    支持的模块时序 1066.7 MHz: 15-15-15-36
    支持的模块时序 933.3 MHz: 13-13-13-31
    支持的模块时序 800.0 MHz: 11-11-11-27
    支持的模块时序 666.7 MHz: 10-10-10-22
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
    Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
    [特点]
    模块温度传感器( TSOD ): 不支持
    模块标称高度: 31 - 32 mm
    模块最大厚度(正面): 1 - 2 mm
    模块最大厚度(背面): 1 - 2 mm
    Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
    [Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
    XMP Revision: 2.0
    [认证配置文件 [已启用]]
    模块 VDD 电压电平: 1.40 V
    最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin): 0.46800 ns (2133 MHz)
    CAS#支持的延迟: 19
    最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin): 8.857 ns
    最小 RAS# 到 CAS# 延迟 (tRCDmin): 8.857 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 8.857 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 18.250 ns
    支持的模块时序 2133.3 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2100.0 MHz: 19-19-19-39
    支持的模块时序 2066.7 MHz: 19-19-19-38
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 27.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 24.000 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 1.627 ns
    Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.849 ns

    图形适配器 ----------------------------------------------------------------


    NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti ------------------------------------------------

    [图形芯片组]
    图形芯片组: NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti
    图形芯片组代号: TU102-300A
    显存: 11264 MBytes of GDDR6 SDRAM [Samsung]
    [显卡]
    显卡: EVGA RTX 2080 Ti KINGPIN Gaming (11G-P4-2589)
    显卡总线: PCIe v3.0 x16 (8.0 GT/s) @ x16 (8.0 GT/s)
    图形 RAMDAC: Integrated RAMDAC
    图形 BIOS 版本: 90.02.30.00.77 [UEFI]
    图形芯片组修订版本: A1
    [性能]
    图形处理器频率: 1215.0 MHz
    视频单元频率: 1125.0 MHz
    显存频率: 1750.0 MHz (有效 14000.0 MHz)
    图形内存总线宽度: 352-bit
    ROP 数量: 88
    统一着色器数量: 4352
    光线追踪核心数: 68
    张量核心数: 544
    TMU 数量(纹理映射单元): 272
    ASIC Manufacturer: TSMC
    ASIC 序列号: 438489448849
    NVIDIA SLI 状态: 不存在
    可调整大小的 BAR (ReBAR) 支持: 已支持
    可调整大小的 BAR (ReBAR) 状态: 已禁用 (256 MB)
    Hardware ID: PCI\VEN_10DE&DEV_1E07&SUBSYS_25893842&REV_A1
    PCI 位置(总线:设备:功能): 1:00:0
    [设备驱动程序信息]
    驱动器制造商: NVIDIA
    驱动程序说明: NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti
    驱动程序提供者: NVIDIA
    驱动版本: 31.0.15.2225 (GeForce 522.25)
    设备驱动程序日期: 06-Oct-2022
    DCH/UWD Driver: 有能力
    DeviceInstanceId PCI\VEN_10DE&DEV_1E07&SUBSYS_25893842&REV_A1\4&23B96B75&0&0008
    Location Paths PCIROOT(0)#PCI(0100)#PCI(0000)
    6 条回复    2022-10-20 23:19:30 +08:00
    Ciicing
        1
    Ciicing  
       2022-10-19 13:48:05 +08:00
    或者你应该说能不能发挥 4090 的全部能力,这个我倒是不知道,但是内存的问题,你要在主板上设置 xmp 才能按照正常购买的频率运行,默认的话即使你买 6000 频率的内存也是以最低频率运行,向下兼容,为了保证能点亮屏幕。
    xdeng
        2
    xdeng  
       2022-10-19 14:08:06 +08:00
    内存频率要 x2
    PainAndLove
        3
    PainAndLove  
       2022-10-19 14:37:40 +08:00
    13900k 4090 ddr5 其他随意吧
    miyuki
        4
    miyuki  
       2022-10-19 15:33:35 +08:00
    频率是没错的,要*2
    ElDanno
        5
    ElDanno  
       2022-10-20 22:19:08 +08:00 via iPhone
    9900 带不动 4090 吧,极客湾跑分测试用 12900k 也没有办法所有游戏显卡满载
    hawei
        6
    hawei  
       2022-10-20 23:19:30 +08:00 via iPhone
    啊这,这个 U 有点老了,内容太长,没看完,提醒一下电源可能不够,注意 4090 的供电接口和你的电源是否匹配
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